SKM75GB12V IGBT Силовий модуль Semikron чіп V-IGBT

На складі є зразки нових силових модулів Semikron SKM75GB12V з кристалами V-IGBT.

На додаток до вже випускається модулів SEMITRANS з чіпами Trench IGBT 4, сімейство SEMITRANS тепер може комплектуватися 1200 В кристалами V-IGBT.

**Основні положення:**

• В основі нових чіпів 1200V Trench технологія;
• Силові модулі з V-IGBT чіпом мають у кінці маркування 12V;
• Розмір чіпів аналогічний IGBT4;
• Використовуються однакові типи діодів – CAL 4.

**Особливості застосування V-IGBT:**

• V-IGBT мають більш високу швидкість комутації, ніж IGBT4 або SPT при однаковому резисторі затвора RG (більше значення di/dton);
• Втрати включення Eon для V-IGBT (при аналогічному та меншому RG) нижче ніж у IGBT4;
• Швидкість комутації V-IGBT може бути знижена при використанні більшого значення RGon. При цьому характер комутації стає аналогічний IGBT4;
• Поведінка при виключенні у чіпів різного типу аналогічно
• Втрати виключення Eoff аналогічні (незалежно від величини RG);
• На відміну від IGBT4, du/dt і di/dtoff для V-IGBT зменшуються з зростанням RGoff;
• RG впливає на втрати зворотного відновлення Err;
• Збільшення RG призводить до зниження Err;
• Втрати зворотного відновлення модулів з діодами CAL4 аналогічні, незалежно від типу IGBT (V-IGBT або IGBT4)
• Заряду затвора QG у V-IGBT на 90% більше ніж у IGBT4 і на 20% більше ніж у IGBT SPT (цей факт необхідно враховувати при виборі драйвера і розрахунку втрат потужності схеми управління);
• V-IGBT і IGBT4 мають однакові обмеження ОБР / SOA (Safe Operating Area);
• Рівень перенапруження при більшому значенні VDC для V-IGBT нижче, ніж у IGBT4;
• Максимальний струм інвертора з V-IGBT аналогічний IGBT4 (діаграма 1).

**Технічні дані:**

• номінальна напруга U=1200 V;
• тривало допустимий струм колектора при температурі корпусу 25 градусів - IC@ (TC=25ºC) =121A;
• тривало допустимий струм колектора при максимальній температурі корпусу — Icnom=75A;
• напруга насичення колектор-емітер — VCEsat=1,85 V;
• втрати енергії при включенні — Eon=6,7 mJ;
• втрати енергії на вимикання — Eoff=7,1 mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0,38 K/W;
• прямий струм (зворотного діода) при температурі корпусу 25 градусів — IF@ (TC=25ºC) = =97A;
• (безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) -VF=2,17 V;
• втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=4.2 mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) =0,58 K/W.
• корпус - SEMITRANS 2.

Ціна може бути змінена без попередження при коливаннях курсу євро.