Корзина
24 отзыва
SKM300GB12V IGBT Силовой модуль Semikron чип V-IGBT
Производители
Контакты
Техносервиспривод
+38044458-47-66офис, факс
+38044366-25-59Силовые полупроводниковые приборы
+38044366-25-17Конденсаторы, дроссели, фильтры и т
+38044366-24-62Приводная техника Danfoss Drives
+38044456-19-57Обслуживание и ремонт преобразовате
відділ
УкраинаКиевпр. Победы 56, оф.33503057
taras.mysak
Карта

SKM300GB12V IGBT Силовой модуль Semikron чип V-IGBT

SKM300GB12V IGBT Силовой  модуль Semikron чип V-IGBT, фото 1
SKM300GB12V IGBT Силовой  модуль Semikron чип V-IGBT, фото 2SKM300GB12V IGBT Силовой  модуль Semikron чип V-IGBT, фото 3
  • В наличии

1 

SKM300GB12V IGBT Силовой  модуль Semikron чип V-IGBT
В наличииSKM300GB12V IGBT Силовой модуль Semikron чип V-IGBT
Купить
+38044458-47-66
офис, факс
  • +38044366-25-59 Силовые полупроводниковые приборы
  • +38044366-25-17 Конденсаторы, дроссели, фильтры и т
  • +38044366-24-62 Приводная техника Danfoss Drives
  • +38044456-19-57 Обслуживание и ремонт преобразовате
Купить
+38044458-47-66
офис, факс
  • +38044366-25-59 Силовые полупроводниковые приборы
  • +38044366-25-17 Конденсаторы, дроссели, фильтры и т
  • +38044366-24-62 Приводная техника Danfoss Drives
  • +38044456-19-57 Обслуживание и ремонт преобразовате
  • График работы
  • Адрес и контакты
возврат товара в течение 14 дней по договоренности

Новые силовые IGBT модули Semikron SKM300GB12V с кристаллами V-IGBT (ток Ic =319A при 80 С, 1200 В).

В дополнение к уже выпускаемым модулям SEMITRANS с чипами IGBT Trench 4, семейство SEMITRANS теперь комплектуется 1200 В кристаллами V-IGBT.

**Основные положения:**

• В основе новых чипов 1200V Trench технология;
• Силовые модули с V-IGBT чипом имеют в конце маркировки 12V;
• Размер чипов аналогичен IGBT4;
• Используются одинаковые типы диодов – CAL 4.

**Особенности применения V-IGBT:**

• V-IGBT имеют более высокую скорость коммутации, чем IGBT4 или SPT при одинаковом резисторе затвора RG (большее значение di/dton);
• Потери включения Eon для V-IGBT (при аналогичном и меньшем RG) ниже чем у IGBT4;
• Скорость коммутации V-IGBT может быть снижена при использовании большего значения RGon. При этом характер коммутации становится аналогичен IGBT4;
• Поведение при выключении у чипов различного типа аналогично
• Потери выключения Eoff аналогичны (вне зависимости от величины RG);
• В отличие от IGBT4, du/dt и di/dtoff для V-IGBT уменьшаются с ростом RGoff;
• RG влияет на потери обратного восстановления Err;
• Увеличение RG приводит к снижению Err;
• Потери обратного восстановления модулей с диодами CAL4 аналогичны, независимо от типа IGBT (V-IGBT или IGBT4)
• Заряд затвора QG у V-IGBT на 90% больше чем у IGBT4 и на 20% больше чем у IGBT SPT (этот факт необходимо учитывать при выборе драйвера и расчете мощности потерь схемы управления);
• V-IGBT и IGBT4 имеют одинаковые ограничения ОБР / SOA (Safe Operating Area);
• Уровень перенапряжения при большем значении VDC для V-IGBT ниже, чем у IGBT4;
• Максимальный ток инвертора с V-IGBT аналогичен IGBT4 (диаграмма 1).

**Технические данные:**

• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =443A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=300A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.85V;
• потери энергии при включении — Eon=22.9mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=32.6mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.11K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =353A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=2,17 V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=20.9mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.17K/W.
• корпус — SEMITRANS 3.
Более подробную информацию можно посмотреть здесь:

Спецификация
Информация для заказа
  • Цена:
  • Способ упаковки: Норма упаковки- 12 шт.
Отзывы о товаре