SKM150GAL12T4 - электроизолированный IGBT модуль Semikron.

SKM150GAL12T4 — IGBT модуль SEMIKRON

Має наступні основні параметри:

• номінальна напруга — U=1200 V;
• тривало допустимий струм колектора при температурі корпусу 25 градусів — IC@ (TC=25ºC) =232A;
• тривало допустимий струм колектора при максимальній температурі корпусу — ІСпом=150A;
• напруга насичення колектор-емітер — VCEsat=1.8 V;
• втрати енергії при включенні — Eon=19.2 mJ;
• втрати енергії на вимикання — Eoff=15.8 mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.19 K/W;
• прямий струм (зворотного діода) при температурі корпусу 25 градусів — IF@ (TC=25ºC) =189A;
• (безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) — VF=2.14 V;
• втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=13.0 mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) =0.31 K/W.
• корпус — SEMITRANS 2.

Ціна може бути змінена без попередження при коливаннях курсу євро.

Більш детальну інформацію можна подивитися тут: