SEMiX303GB12E4s - электроизолированный V-IGBT модуль Semikron.

SEMiX303GB12E4s — IGBT модуль SEMIKRON

Має наступні основні параметри:

• номінальна напруга — U=1200 V;
• тривало допустимий струм колектора при температурі корпусу 25 градусів — IC@ (TC=25ºC) =466A;
• тривало допустимий струм колектора при максимальній температурі корпусу — ІСпом=300A;
• напруга насичення колектор-емітер — VCEsat=1.8 V;
• втрати енергії при включенні — Eon=30mJ;
• втрати енергії на вимикання — Eoff=41,2 mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.095 K/W;
• прямий струм (зворотного діода) при температурі корпусу 25 градусів — IF@ (TC=25ºC) =338A;
• (безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) — VF=2.2 V;
• втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=17,7 mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) =0.18 K/W.
• корпус — SEMiX 3s.

Ціна може бути змінена без попередження при коливаннях курсу євро.

Більш детальну інформацію можна подивитися тут: