Корзина
24 отзыва
Производители
Контакты
Техносервиспривод
+38044458-47-66офис, факс
+38044366-25-59Силовые полупроводниковые приборы
+38044366-25-17Конденсаторы, дроссели, фильтры и т
+38044366-24-62Приводная техника Danfoss Drives
+38044456-19-57Обслуживание и ремонт преобразовате
відділ
УкраинаКиевпр. Победы 56, оф.33503057
taras.mysak
Карта

SEMiX253GB126HDs — IGBT модуль Semikron

SEMiX253GB126HDs —  IGBT модуль Semikron, фото 1
SEMiX253GB126HDs —  IGBT модуль Semikron, фото 2SEMiX253GB126HDs —  IGBT модуль Semikron, фото 3
  • В наличии
  • Оптом и в розницу

1 

SEMiX253GB126HDs —  IGBT модуль Semikron
В наличииSEMiX253GB126HDs — IGBT модуль Semikron
Купить
+38044458-47-66
офис, факс
  • +38044366-25-59 Силовые полупроводниковые приборы
  • +38044366-25-17 Конденсаторы, дроссели, фильтры и т
  • +38044366-24-62 Приводная техника Danfoss Drives
  • +38044456-19-57 Обслуживание и ремонт преобразовате
Купить
+38044458-47-66
офис, факс
  • +38044366-25-59 Силовые полупроводниковые приборы
  • +38044366-25-17 Конденсаторы, дроссели, фильтры и т
  • +38044366-24-62 Приводная техника Danfoss Drives
  • +38044456-19-57 Обслуживание и ремонт преобразовате
  • График работы
  • Адрес и контакты
возврат товара в течение 14 дней по договоренности

SEMiX253GB126HDs - электроизолированный V-IGBT модуль Semikron.

SEMiX253GB126HDs — IGBT модуль SEMIKRON

Имеет следующие основные параметры:

• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =260A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=190A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.7V;
• потери энергии при включении — Eon=15mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=22mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.14K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =230A;
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) — VF=1.6V;
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=18mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0.33K/W.
• корпус — SEMiX 3s.

Более подробную информацию можно посмотреть здесь:

Информация для заказа
  • Цена:
  • Способ упаковки: Норма упаковки- 6 шт.
Отзывы о товаре