Модули SEMITOP SEMIKRON как альтернатива дискретным корпусам ТО

SEMIKRON производит малогабаритные модули SEMITOP которые являются альтернативой дискретным приборам в корпусах ТО

SEMIKRON производит малогабаритные модули SEMITOP которые являются альтернативой дискретным приборам в корпусах ТО для преобразователей мощностью до 20 кВт. Диапазон токов 6….210 А (Ic), рабочие напряжения 600….1600 В для различных конфигураций схем. Один модуль SEMITOP заменяет от 2 до 12 корпусов ТО.
Основные особенности модулей серии SEMITOP:
-низкое тепловое сопротивление и высокая устойчивость к термоциклированию —благодаря использованию прижимной технологии SKiiP и отсутствию базовой платы (baseless pressure contact technology);
-новейшие технологии кристаллов;
-для установки модулей SEMITOP на радиатор служит один крепежный винт;
-одинаковый способ крепления и одинаковая высота (12 мм) для всех типов модулей серии позволяет устанавливать на общем теплоотводе несколько различных модулей, используя для подключения одну печатную плату;
-высокая стойкость к короткому замыканию;
-сертификат лаборатории безопасности UL номер E 63532.
Несомненным преимуществом интегральных модулей является то, что транзисторы в них соединены в определенной конфигурации, что упрощает сборку и обеспечивает минимальное значение распределенных индуктивностей и, следовательно, уменьшение переходных перенапряжений при переключении. Особенно это проявляется в отношении малогабаритных модулей SEMITOP, применение которых вместо дискретных корпусов ТО позволяет в 2-4 раза увеличить мощность преобразовательного устройства при аналогичных габаритах силового каскада. Данное преимущество наглядно демонстрирует рисунок, на котором показан процесс сборки 3-фазного инвертора в случае применения дискретных транзисторов и модуля SEMITOP. При использовании транзисторов необходимо большее количество крепежных элементов и изолирующих подложек, требуется строгий контроль сопротивления изоляции и напряжения пробоя. Сам процесс соединения транзисторов неизбежно удорожает сборку, а наличие распределенных индуктивностей проводов приводит к появлению переходных перенапряжений.