SKM450GB12E4 IGBT Силовий модуль Semikron

SKM450GB12E4 — IGBT модуль SEMIKRON

Ціна для середнього опту. Роздріб і великий опт за запитом.

Силовий электроизолированный IGBT модуль Semikron SKM450GB12E4 (струм Ic =324A при 80 С, 1200).

Має наступні основні параметри:

• номінальна напруга — U=1200 V;
• тривало допустимий струм колектора при температурі корпусу 25 градусів — IC@ (TC=25ºC) =699A;
• тривало допустимий струм колектора при максимальній температурі корпусу — ІСпом=450A;
• напруга насичення колектор-емітер — VCEsat=1.82 V;
• втрати енергії при включенні — Eon=35mJ;
• втрати енергії на вимикання — Eoff=61mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.062 K/W;
• прямий струм (зворотного діода) при температурі корпусу 25 градусів — IF@ (TC=25ºC) =440A;
• (безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) — VF=2,31 V;
• втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=33mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) =0.14 K/W.
• корпус — SEMITRANS 3.

Ціна може бути змінена без попередження при коливаннях курсу євро.

Більш детальну інформацію можна подивитися тут: