SKM150GB12V IGBT Силовий модуль Semikron чіп V-IGBT

На складі є зразки нових силових модулів Semikron SKM150GB12V з кристалами V-IGBT.

На додаток до вже випускається модулів SEMITRANS з чіпами Trench IGBT 4, сімейство SEMITRANS тепер може комплектуватися 1200 В кристалами V-IGBT.

**Основні положення:**

• В основі нових чіпів 1200V Trench технологія;
• Силові модулі з V-IGBT чіпом мають у кінці маркування 12V;
• Розмір чіпів аналогічний IGBT4;
• Використовуються однакові типи діодів – CAL 4.

**Особливості застосування V-IGBT:**

• V-IGBT мають більш високу швидкість комутації, ніж IGBT4 або SPT при однаковому резисторі затвора RG (більше значення di/dton);
• Втрати включення Eon для V-IGBT (при аналогічному та меншому RG) нижче ніж у IGBT4;
• Швидкість комутації V-IGBT може бути знижена при використанні більшого значення RGon. При цьому характер комутації стає аналогічний IGBT4;
• Поведінка при виключенні у чіпів різного типу аналогічно
• Втрати виключення Eoff аналогічні (незалежно від величини RG);
• На відміну від IGBT4, du/dt і di/dtoff для V-IGBT зменшуються з зростанням RGoff;
• RG влияет на потери обратного восстановления Err;
• Увеличение RG приводит к снижению Err;
• Потери обратного восстановления модулей с диодами CAL4 аналогичны, независимо от типа IGBT (V-IGBT или IGBT4)
• Заряд затвора QG у V-IGBT на 90% больше чем у IGBT4 и на 20% больше чем у IGBT SPT (этот факт необходимо учитывать при выборе драйвера и расчете мощности потерь схемы управления);
• V-IGBT и IGBT4 имеют одинаковые ограничения ОБР / SOA (Safe Operating Area);
• Уровень перенапряжения при большем значении VDC для V-IGBT ниже, чем у IGBT4;
• Максимальний струм інвертора з V-IGBT аналогічний IGBT4 (діаграма 1).

**Технічні дані:**

• номинальное напряжение U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов- IC@ (TC=25ºC) =225A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — Icnom=150A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.8 5V;
• потери энергии при включении — Eon=13.5mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=14.2mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.19K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =189A;
• (безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) -VF=2,14 V;
• втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=8.9 mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) =0.31 K/W.
• корпус - SEMITRANS 2.

Ціна може бути змінена без попередження при коливаннях курсу євро.