SKM200GB12V IGBT Силовий модуль Semikron чип V-IGBT

На складі є зразки нових силових модулів Semikron SKM200GB12V з кристалами V-IGBT.

На додаток до вже випущених модулів SEMITRANS з чипами IGBT Trench 4, сімейство SEMITRANS тепер може комплектуватися 1200 В кристалами V-IGBT.

**Основні положення:**

• В основі нових чипів 1200V Trench технологія;
• Силові модулі з V-IGBT чипом мають наприкінці маркування 12V;
• Розмір чипів аналогічний IGBT4;
• Використовуються однакові типи діодів — CAL 4.

**Особливості застосування V-IGBT:**

• V-IGBT мають вищу швидкість комутації, ніж IGBT4 або SPT за однакового резистору затвора RG (більше значення di/dton);
• Споживання Eon для V-IGBT (за аналогічного та меншого RGBG) нижче, ніж у IGBT4;
• Швидкість комутації V-IGBT може бути знижена за використання більшого значення RGBGon. Водночас характер комутації стає аналогічним IGBT4;
•гідність під час вимкнення в чипів різного типу аналогічна
• Загублення Eoff аналогічне (незалежно від величини RG);
• На відміну від IGBT4, du/dt і di/dtoff для V-IGBT зменшуються зі зростом RGBT;
• RG впливає на втрати зворотного відновлення Err;
• Збільшення RG призводить до зниження Err;
• Споживання зворотного відновлення модулів із діодами CAL4 аналогічне, незалежно від типу IGBT (V-IGBT або IGBT4)
• Заряд затвора QG V-IGBT на 90% більший, ніж у IGBT4, і на 20% більше, ніж у IGBT SPT (цей факт необхідно враховувати під час вибору драйвера та розрахунку потужності втрат схеми керування);
• V-IGBT і IGBT4 мають однакові обмеження ОБР/SOA (Safe Operating Area);
• Рівень перенапруги за більшого значення VDC для V-IGBT нижчий, ніж у IGBT4;
• Максимальний струм інвертора з V-IGBT аналогічний IGBT4 (діаграма 1).

**Технічні дані:**

• номінальна напруга U=1200 V;
• Тривалий струм колектора за температури корпусу 25 градусів — IC@ (TC=25oC) =304A;
• тривалий струм колектора за максимальної температури корпусу — Icnom=200A;
• напруга насичення колектор-емітер — VCEsat = 1.75 V;
• втрати енергії під час увімкнення — Eon = 19mJ;
• втрати енергії на вимкнення — Eoff = 15mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (IGBT) — Rth (j-c) = 0.14K/W;
• прямий струм (зворотного діода) за температури корпусу 25 градусів — IF@ (TC = 25oC) =229A;
• (безпосереднє) пряме падіння напруги (на зворотному діоді) — VF=2,2V;
• втрати енергії за зворотного відновлення (зворотного діода) — Err = 13mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) = 0.26K/W
• корпус- SEMITRANS 3.

Ціна може бути змінена без попередження під час коливань курсу євро.

Докладніше інформацію можна подивитися тут: