SKM100GB063D — IGBT модуль SEMIKRON

Має такі основні параметри:

• номінальна напруга — U=600 V;
• тривалий струм колектора за температури корпусу 25 градусів — IC@ (TC=25oC) =145A;
• тривалий струм колектора за максимальної температури корпусу — IСnom = 100 A;
• напруга насичення колектор-емітер — VCEsat=1.9V;
• втрати енергії під час увімкнення — Eon=9.0mJ;
• втрати енергії на вимкнення — Eoff=7.5mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (IGBT) — Rth (j-c) = 0.21K/W;
• прямий струм (зворотного діода) за температури корпусу 25 градусів — IF@ (TC=25oC) =95A;
• (безпосереднє) пряме падіння напруги (на зворотному діоді) — VF=2.0V;
• втрати енергії у разі зворотного відновлення (зворотного діода) — Err=3.9mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) = 0.5K/W.
• корпус — SEMITRANS 2.