SKM400GAR125D - электроизолированный IGBT модуль Semikron.

SKM400GAR125D — IGBT модуль SEMIKRON

Має наступні основні параметри:

• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =400A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=300A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=3.3V;
• потери энергии при включении — Eon=17mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=18mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.05K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =390A;
• (безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) — VF=2.06 V;
• втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=16mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) =0.125 K/W.
• корпус — SEMITRANS 3.

Ціна може бути змінена без попередження при коливаннях курсу євро.