SKM400GB125D - электроизолированный IGBT модуль Semikron.

SKM400GB125D — IGBT модуль SEMIKRON

Має наступні основні параметри:

• номінальна напруга — U=1200 V;
• тривало допустимий струм колектора при температурі корпусу 25 градусів — IC@ (TC=25ºC) =400A;
• тривало допустимий струм колектора при максимальній температурі корпусу — ІСпом=300A;
• напруга насичення колектор-емітер — VCEsat=3.3 V;
• втрати енергії при включенні — Eon=17mJ;
• втрати енергії на вимикання — Eoff=18mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.05 K/W;
• прямий струм (зворотного діода) при температурі корпусу 25 градусів — IF@ (TC=25ºC) =390A;
• (безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) — VF=2.06 V;
• втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=16mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) =0.125 K/W.
• корпус — SEMITRANS 3.

Ціна може бути змінена без попередження при коливаннях курсу євро.

Більш детальну інформацію можна подивитися тут: