SKM300GB12E4 IGBT Силовий модуль Semikron

SKM300GB12E4 — IGBT модуль SEMIKRON

Ціна для середнього опту. Роздріб і великий опт за запитом.

Силовий электроизолированный IGBT модуль Semikron SKM300GB12E4 (струм Ic =324A при 80 С, 1200).

Має наступні основні параметри:

• номінальна напруга — U=1200 V;
• тривало допустимий струм колектора при температурі корпусу 25 градусів — IC@ (TC=25ºC) =422A;
• тривало допустимий струм колектора при максимальній температурі корпусу — ІСпом=300A;
• напруга насичення колектор-емітер — VCEsat=1.85 V;
• втрати енергії при включенні — Eon=27mJ;
• втрати енергії на вимикання — Eoff=29mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.11 K/W;
• прямий струм (зворотного діода) при температурі корпусу 25 градусів — IF@ (TC=25ºC) =353A;
• (безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) — VF=2,17 V;
• втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=23mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) =0.17 K/W.
• корпус — SEMITRANS 3.

Ціна може бути змінена без попередження при коливаннях курсу євро.

Більш детальну інформацію можна подивитися тут: