SK50GH12T4T - модуль Semitop 4 (IGBT міст + датчик температури)

У виробничій програмі SEMIKRON малопотужні модулі SEMITOP є найбільш малогабаритними. Вони розглядаються як альтернатива дискретним приладів в корпусах ТО — найбільш популярним компонентів для розробки і виробництва перетворювачів потужністю до 5 кВт. Модулі SEMITOP випускаються за унікальною притискної технології SKiiP, розробленої SEMIKRON і дозволяє забезпечити хороші теплові характеристики і високі показники надійності.
Безперечною перевагою застосування інтегральних малогабаритних модулів замість дискретних корпусів є те, що можна в 2-4 рази збільшити потужність перетворювального пристрою при аналогічних габаритах силового каскаду.
Модуль SEMITOP 4 SK50GH12T4T (міст IGBT 4 Trench) замінює 4 дискретних IGBT в корпусі ТО.
Технічні дані:
номінальна напруга U=1200 V;
тривало допустимий струм колектора при температурі корпусу 25 градусів— IC@ (TC=25C) =75A;
тривало допустимий струм колектора при максимальній температурі корпусу — Icnom=50A;
напруга насичення колектор-емітер — VCEsat=1,80 V;
втрати енергії при включенні — EON=8,3 mJ;
втрати енергії на вимикання — EOFF=5,0 mJ;
тепловий опір перехід-корпус (IGBT) — Rthjc=0,65 K/W;
прямий струм (зворотного діода) при температурі корпусу 25 градусів — IF @ (TC=25C) =56A;
(безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) —VF=2,20 V;
втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=2,15 mJ;
тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rthjc-D=1,05 K/W.

Ціна може бути змінена без попередження при коливаннях курсу євро

Більш детальну інформацію можна дізнатися тут